半导体芯片的制作分为IC设计、IC制造、IC块测量三个环节，光刻是IC制造的核心环节，主要作用是将掩模上的芯片电路图复制到硅芯片上。光刻工艺水平直接决定芯片的工艺水平和性能水平，因此光刻成为IC制造中非常复杂和重要的工艺步骤，激光镭射光刻机的重要性不言而喻。

光刻技术是指通过光致抗蚀剂照射光来将掩模上的图案转印到硅晶片上的技术。光刻原理来源于印刷技术中的照相制版，加工成一个平面形成微图案。在半导体芯片的制造过程中，激光镭射光刻机使用激光将电路设计图写在光掩模上，然后光源隔着掩模照射到带抗蚀剂的硅晶片的表面，在曝光区域的抗蚀剂上产生化学效果。根据使用的正片和负片的区别，分为正片光刻和负片光刻两种基本工艺。

正型光刻会破坏正型光刻胶曝光部分的结构，用溶剂冲洗，使光刻胶上的图案和掩模上的图案相同。相反，在负性光刻中，负性抗蚀剂的曝光部分由于固化而无法溶解，掩模部分被溶剂冲洗，抗蚀剂上的图案与掩模上的图案相反。

为了追求更小的工艺节点，正在开发在通常的光刻之上用于提高图案密度的多重图案光刻技术。双重模式使特征密度提高了两倍，这项技术把被赋予的图案分成两个密度小的部分。在光刻工序中对光致抗蚀剂进行曝光，通过蚀刻硬掩模，将第1层图案转印到下面硬掩模上.然后，将第2层图案对准第1层图案，通过第2次光刻曝光和蚀刻复制到硬掩模上，然后对基板进行蚀刻，得到了原来图案的两倍的图案密度。

以上就是激光镭射光刻机的基本工艺介绍，感谢阅读。